半导体器件功率分析仪and功率器件测试仪简介 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法 灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。详询18140663476

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

 

系统参数

项目		参数
集电极-发射极	Z大电压	3500V
	Z大电流	6000A
	精度	±0.1%
	大电压上升沿	典型值5ms
	大电流上升沿	典型值15us
	大电流脉宽	50us~500us
	漏电流测试量程	1nA~100mA
栅极-发射极	Z大电压	300V
	Z大电流	1A(直流)/10A(脉冲)
	精度	±0.05%
	Z小电压分辨率	30uV
	Z小电流分辨率	10pA
电容测试	典型精度	±0.5%
	频率范围	10Hz~1MHz
	电容值范围	0.01pF~9.9999F
温控	范围	25℃~200℃
	精度	±1℃

 

半导体器件功率分析仪and功率器件测试仪测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

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