E系列功率半导体测试电源3500V高压电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询18140663476

部分技术参数

最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间典型值：< 5ms；

输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U机箱，深度：520mm(不包含挂耳及急停按钮)

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。

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